V-NAND: Samsung steigert Bit-Dichte um 50 Prozent

Samsung hat die Massenfertigung neuer V-NAND-Speicherchips angekündigt. Sie verfügen über eine 50 Prozent höhere Bit-Dichte als die bisher von Samsung hergestellten Speicherbausteine – und laut Samsung über die höchste Bit-Dichte branchenweit.

Die neuen NAND-Chips sollen unter anderem in Hochleistungs-SSDs zum Einsatz kommen, die die „Anforderungen für die kommende KI-Generation erfüllen“, teilte das Unternehmen mit. Die Triple-Level-Speicherzellen (TLC) der neuen V-NAND-Chips haben eine Kapazität von 1 Terabit. Die höhere Bit-Dichte erreicht Samsung durch die nach eigenen Angaben „kleinste Zellen-Größe und dünnste Bauform“ branchenweit.

Neu ist auch die sogenannte Double-Stack-Struktur, die über zwei Stapel von vertikal angeordneten Speicherzellen verfügt – statt nur einem Stapel. Ermöglicht wurde diese durch eine Technik, die Samsung als Channel Hole Etching bezeichnet. Sie erlaubt es, Leiterbahnen durch die „dickeren“ Stapel hindurchzuerstellen. Weitere Änderungen des Produktionsverfahrens sollen zudem Interferenzen zwischen Speicherzellen reduzieren und die Lebensdauer von Speicherzellen verlängern.

Mit den neuen V-NAND-Chips führt Samsung auch das neue NAND-Interface Toggle 5.1 ein. Es steigert die Input/Output-Geschwindigkeit um 33 Prozent auf bis zu 3,2 GBit/s. Zugleich soll der Energiebedarf um bis zu 10 Prozent sinken.